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台湾是省还是市 台湾是省会吗

台湾是省还是市 台湾是省会吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看(kàn)一则突发消息。

  美光公司在(zài)华销售(shòu)的(de)产品未通过网络安全审查

  据(jù)网信办消息,日前,网络安(ān)全审查办公室(shì)依法(fǎ)对美(měi)光公司在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

  审查(chá)发现,美(měi)光公司产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患(huàn),对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造(zào)成重大安全风险(xiǎn),影(yǐng)响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此,网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公室依法作出不予通过网络安全审查(chá)的(de)结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规,我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)。

  此(cǐ)次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查,目的是防范产品网络安全问题(tí)危害国(guó)家关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)安全(quán),是维护国(guó)家安全(quán)的必要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放(fàng),只要遵守中国法律法规要(yào)求,欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服(fú)务进入中(zhōng)国(guó)市(shì)场。

  半导体突发!中国出手:停止(zhǐ)采购!

  3月31日,中国网信网发文称,为保(bǎo)障关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施供(gōng)应链(liàn)安全,防范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网络安全(quán)风(fēng)险,维护国家安全,依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网(wǎng)络安全法》,网络(luò)安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》,对美光(guāng)公司(Micron)在华销售的产品(pǐn)实(shí)施(shī)网络安全审查。

  半导体(tǐ)突发!中国出手:停止采购(gòu)!

  美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头,也是(shì)全球存储芯片巨头之一,2022年收入来自中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57%降至2022年约11%。根据市场咨询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪存(cún))市场(chǎng)份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM (内存)市(shì)场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 94.35%。

  A股上市(shì)公司中,江波(bō)龙、佰维存储等公司披(pī)露过美(měi)光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

  美光在江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著下降,至少已经不是(shì)主要大供应商。

  公告(gào)显(xiǎn)示, 2021年(nián)美光(guāng)位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商,采购约31亿元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江波龙第一大(dà)、第(dì)二大和第三大(dà)供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经(jīng)在存(cún)储(chǔ)产(chǎn)业(yè)链上下(xià)游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示,江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约,确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng),巩固公司在(zài)下游市场(chǎng)的供应优(yōu)势,公司也与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉台湾是省还是市 台湾是省会吗长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

  有(yǒu)券商(shāng)此前就分析,如果美(měi)光在中国区销售(shòu)受到限制(zhì),或将导致(zhì)下游(yóu)客户(hù)转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力(lì)士,国(guó)内(nèi台湾是省还是市 台湾是省会吗)长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产(chǎn)品

  分析称(chēng),长存、长鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的(de)生(shēng)产已(yǐ)经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到(dào)3维的结(jié)构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步骤,同时刻蚀目前前沿要刻到 60:1的深孔(kǒng),未(wèi)来可能(néng)会(huì)更深的(de)孔或者沟槽,催生更(gèng)多设备需(xū)求。据(jù)东京电子披露,薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75%。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国限制名单(dān),设备国产(chǎn)化进(jìn)程加(jiā)速,看好(hǎo)拓荆科台湾是省还是市 台湾是省会吗技(薄(báo)膜(mó)沉积(jī))等相(xiāng)关公司份额提升,以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科(CMP)、盛美(měi)上海(清洗)等(děng)收(shōu)入增长。

 

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