大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未(wèi)通过网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前(qián)，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室依法对美(měi)光公司(sī)在华销售产品进行了网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国(guó)国家安(ān)全。为此，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法(fǎ)作出(chū)不予通过网络安全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施的(de)运营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对(duì)美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络安全审(shěn)查，目(mù)的是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问题危(wēi)害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推进高(gāo)水平对(duì)外开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进入中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文(wén)称，为保障关键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)供(gōng)应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国(guó)国家安全法》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来(lái)自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司(sī)披(pī)露过美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显著(zhù)下降，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙(l大π键电子数的计算方法，大π键电子数怎么看óng)已经在存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国(guó)内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在下游市场的(de)供应优(yōu)势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美光在(zài)中国(guó)区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国(guó)外三(sān)星(大π键电子数的计算方法，大π键电子数怎么看xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益(yì)。存(cún)储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的(de)孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限(xiàn)制名单，设(shè)备国产化进程加(jiā)速，看(kàn)好(hǎo)拓(tuò)荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业(yè)务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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