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　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过(guò)网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法对美(měi)光公司在(zài)华销售产品进(jìn)行(xíng)了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为(wèi)此(cǐ)，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依(yī)法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行(xíng)网络(luò)安全审查(chá)，目的是防范产品(pǐn)网络安全(quán)问题危害国家关键信息(xī)基(jī)础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各(gè)类平台产(chǎn)品服(fú)务进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和(hé)国国(guó)家(jiā)安(ān)全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办(bàn)公室按照《网络(luò)安(ān)全(quán)审查办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实(shí)施网络安(fe2o3是什么化学元素ān)全(quán)审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披(pī)露(lù)过美光等国(guó)际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第三大(dà)供应商采购(gòu)金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业(yè)链上(shàng)下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署(shǔ)了(le)长期合(hé)约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析(xī)，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受(shòu)到限制(zhì)，或(huò)将(jiāng)导(dǎo)致下(xià)游客(kè)户(hù)转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存储、长鑫(xīn)存(cfe2o3是什么化学元素ún)储等竞对(duì)产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的(de)结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜(mó)成(chéng)为(wèi)最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国限制(zhì)名单(dān)，设备国产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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