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　　美(měi)光公司在华销售的产品未(wèi)通过网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法对美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关(guān)键(jiàn)信息基础设施(shī)供(gōng)应链造(zào)成重(zhòng)大(dà)安全风险，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依法作出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按(àn)照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行(xíng)网络安全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网络安(ān)全问题危害国(guó)家(jiā)关键信息基础设(shè)施安全，是(shì)维护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服务(wù)进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保障(zhàng)关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施供(gōng)应(yīng)链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民(mín)共(gòng)和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年(nián)收入(rù)来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(g独肖有哪几个ǔ)上市公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披(pī)露(lù)过美(měi)光(guāng)等(děng)国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二大(dà)和第三大供应商(shāng)采购(gòu)金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司也与(yǔ)国内国独肖有哪几个产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存、长鑫独肖有哪几个的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄(báo)膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增长。

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