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　　美光公司(sī)在(zài)华销售的(de)产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室(shì)依法对美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销售产品进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严重网络安(ān)全问(wèn)题隐(yǐn)患，对(duì)我(wǒ)国(guó)关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施供应链造成重大安(ān)全风险，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为此，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络安全审查的结(jié)论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关键信息基(jī)础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产品少先队的队旗是什么，少先队的队旗是什么组成的进行网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)网(wǎng)络安全问(wèn)题危(wēi)害国家关键(jiàn)信息基础设施安(ān)全(quán)，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产(chǎn)品(pǐn)服(fú)务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基(jī)础设施(shī)供应链安全，防范产(chǎn少先队的队旗是什么，少先队的队旗是什么组成的)品问题隐患(huàn)造成网络安全(quán)风险，维护国家安全(quán)，依据《中华(huá)人民共和(hé)国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网络(luò)安全(quán)法》，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品实(shí)施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也(yě)是(shì)全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自中国市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要(yào)大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙(lóng)第一(yī)大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第(dì)三大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存(cún)储产(chǎn)业(yè)链(liàn)上下游建立(lì)国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国(guó)产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关键、最大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过(guò)薄膜沉(chén)积(jī)工艺步(bù)骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江存(cún)储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以及(jí)存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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