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　　美(měi)光公司在(zài)华销售的产(chǎn)品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审查(chá)

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光(guāng)公(gōng)司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链造(zào)成重大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法(fǎ)作出不(bù)予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国(guó)内(nèi)关键信(xìn)息基础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司(sī)产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护(hù)国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家(jiā)安(ān)全(quán)，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品(pǐn)实(shí)施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯(xīn)片行业龙头，也是(shì)全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大、第二大(dà)和第三大供应商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市场的供应优势，公(gōng)司也与国(guó)内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫(xīn语言凝练和凝炼的区别，凝练和凝炼的区别是什么)存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的(de)生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的语言凝练和凝炼的区别，凝练和凝炼的区别是什么工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最(zuì)关(guān)键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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