大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光(guāng)公司(sī)在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光(guāng)公司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公司产品存(cún)在较严(yán)重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息(xī)基(jī)础设施(shī)供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法作(zuò)出(chū)不予通过网络安(ān)全审查的(de)结论。按照《网络(luò)安(ān)全(quán)法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的(de)是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施(shī)安全，是维(wéi)护国家(jiā)安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各(gè)国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服(fú)务进入中(z作法与做法的区别，作法与做法的区别是什么hōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安(ān)全(quán)法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中国市场(chǎng)收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）作法与做法的区别，作法与做法的区别是什么市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披露过美(měi)光等国际存(cún)储厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经(jīng)显著下降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三(sān)大供应(yīng)商(shāng)采购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上(shàng)下游建立国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势，公司(sī)也与国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的(de)合(hé)作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多(duō)设备(bèi)需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国限制(zhì)名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份额提升，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

未经允许不得转载：MP3i音乐网址大全-MP3下载,网址导航,音乐在线试听,中国音乐网址导航第一站 作法与做法的区别，作法与做法的区别是什么