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　　美(měi)光(guāng)公司在华销售的(de)产(chǎn)品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网(wǎng)络(luò)安全审查办公(gōng)室(shì)依法对美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造(zào)成(chéng)重(zhòng)大安全风(fēng)险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予(yǔ)通过网络(luò)安全审查(chá)的(de)结论。按照(zhào)《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础设施的(de)运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安全审查，目的是(shì)防(fáng)范产品(pǐn)网络安(ān)全问(wèn)题危(wēi)害国家关键信(xìn)息基础设(shè)施安(ān)全(quán)，是维护(hù)国家安(ān)全的必要(yào)措施(shī)。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保障关(guān)键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入(rù)从(cóng)此(cǐ)前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠一语成谶一语成偈是什么意思，一语成谶(yi yu cheng ji )的读音、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储(chǔ)产业链(liàn)上下(xià)游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部(bù)数据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析，如果美光(guāng)在(zài)中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致(zhì)下游客户(hù)转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受(shòu)益(yì)。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京(jīng)电子披一语成谶一语成偈是什么意思，一语成谶(yi yu cheng ji )的读音(pī)露(lù)，薄膜沉(chén)积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入(rù)美(měi)国限制名单，设备国产化进(jìn)程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份(fèn)额(é)提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长。

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