大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前，网络(luò)安全(quán)审查办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)供应链造成重大(dà)安全风险，影响我国国家(jiā)安(ān)全(quán)。为此，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审唐山大地震和汶川大地震哪个严重查(chá)办公室依(yī)法作出(chū)不予通(tōng)过网络(luò)安(ān)全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络安全(quán)法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司(sī)产品(pǐn)进行网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国家(jiā)关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施安全，是维护(hù)国家(jiā)安全的必要措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平(píng)台产(chǎn)品(pǐn)服务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施(shī)供应链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安全风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全(quán)，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国(guó)网络安全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室(shì)按(àn)照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年收入(rù)来自中国(guó)市(shì)场收入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大(dà)存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购(gòu)金额(é)占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合(hé)作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也(yě)与(yǔ)国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致(zhì)下游客(kè)户转(zhuǎn)而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能(néng)会(huì)更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更唐山大地震和汶川大地震哪个严重多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国(guó)限(xiàn)制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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