大家(jiā)好(hǎo)，来看一则突发消为什么不宣传李兰娟了，李兰娟为何销声匿迹息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品未(wèi)通(tōng)过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公室依法对(duì)美光公司在华(huá)销售产(chǎn)品进行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对我国关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大(dà)安全风险，影(yǐng)响我国国(guó)家安(ān)全。为此，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法作出(chū)不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信息基础设(shè)施的(de)运(yùn)营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品进行网络安(ān)全审查，目的(de)是防范产品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护(hù)国家安全的(de)必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信(xìn)网发文(wén)称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国(guó)家安全，依据(jù)《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和(hé)国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在(zài)为什么不宣传李兰娟了，李兰娟为何销声匿迹华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中(zhō为什么不宣传李兰娟了，李兰娟为何销声匿迹ng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光(guāng)等(děng)国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至(zhì)少已经不(bù)是(shì)主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第三大(dà)供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链(liàn)上下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期(qī)合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司(sī)在下(xià)游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前(qián)就分(fēn)析，如(rú)果美(měi)光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄(báo)膜(mó)成为最关键、最大(dà)量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求(qiú)。据(jù)东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公(gōng)司份额(é)提(tí)升，以及存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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