大(dà)家(jiā)好(hǎo)，来看一则(zé)突发消息(xī)。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产品未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公司产品存在较严(yán)重网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链(liàn)造成重(zhòng)大(dà)安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依法(fǎ)作出(chū)不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营者(zhě)应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次(cì)对(duì)美(měi)光(guāng)公司产品进行网络安全(quán)审查，目的(de)是(shì)防范产品网络安全问题危害国(guó)家关键信(xìn)息基础设施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平台产品服(fú)务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日(rì)，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键信息基(jī)础设施(shī)供应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成网络安全风(fēngsimple是什么牌子，simple是什么牌子衣服)险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络(luò)安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等(děng)国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商采购(gòu)金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年simple是什么牌子，simple是什么牌子衣服年报(bào)显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期(qī)合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市(shì)场的供(gōng)应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美(měi)光(guāng)在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为(wèi)最关键、最(zuì)大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步(bù)骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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