大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美(měi)光(guāng)公司在(zài)华(huá)销售的产品未通(tōng)过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键信息基础设施(shī)供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安(ān)全。为(wèi)此，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室(shì)依法作出(chū)不予通过(guò)网络(luò)安全审查的结论(lùn)。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设(shè)施安(ān)全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关键信息基础设(shè)施供(gōng)应(yīng)链安(ān)全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患(huàn)造(zào)成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全(quán)审(shěn)查办公室(shì)按(àn)照(zhào)《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国(guó)的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市(shì)场收(shōu)入从此(cǐ)前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披(pī)露过美光等(děng)国际存储(chǔ)厂商为公司(sī)供应三国时期中国有多少人口面积，三国时期中国有多少人口和面积商(shāng)。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经(jīng)显著(zhù)下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第三大(dà)供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经三国时期中国有多少人口面积，三国时期中国有多少人口和面积在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期(qī)合约，确保(bǎo)存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良(liáng)好(hǎo)的(de)合(hé)作。

　　有券商此前就(jiù)分析(xī)，如果美光在中国(guó)区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进(jìn)入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计(jì)为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业务(wù)占(zhàn)比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等(děng)收入(rù)增长。

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