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　　美(měi)光公司在(zài)华销(xiāo)售的产品未通过网络(luò)安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在华销售产品(pǐn)进行了网络安(ān)全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品存在(zài)较严重网络(luò)安(ān)全问题隐患，对我国(guó)关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链造成重大安(ān)全(quán)风(fēng)险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出不予通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司产品进(jìn)行网络(luò)安(ān)全审查，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国(guó)家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要(yào)措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各(gè)类平台产品服务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)供(gōng)应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和(hé)国(guó)网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实(shí)施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国(guó)市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露过(guò)美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大、第二(èr)大和(hé)第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储产业(yè)链上下游建立(lì)国内(nèi)外广泛合作。202凤凰男能嫁吗，凤凰男的八大特征和交往原则2年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等(děng)主要(yào)存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析(xī)，如(rú)果美光在中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAN凤凰男能嫁吗，凤凰男的八大特征和交往原则D时(shí)代(dài)，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更(gèng)多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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