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爬山是什么性暗示,男女常用的7句性暗示语

爬山是什么性暗示,男女常用的7句性暗示语 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好(hǎo),来看(kàn)一则突发消息。

  美光公司在华(huá)销售(shòu)的产品(pǐn)未通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查(chá)

  据网信办消息,日前,网络安全审查办公室(shì)依法对美光公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行了(le)网络安(ān)全审查。

  审查发现,美光公司产品存在(zài)较(jiào)严重网络(luò)安全问(wèn)题隐患,对我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应(yīng)链造成重大安全风险,影响我国国(guó)家安全。为此,网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)作出(chū)不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规,我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

  此(cǐ)次对美光公(gōng)司产品进行(xíng)网络安全审查(chá),目的是防范产品(pǐn)网络(luò)安全问(wèn)题危害(hài)国家关键信(xìn)息基础设施安全,是维(wéi)护国家(jiā)安全的必要措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水平对外(wài)开放(fàng),只要(yào)遵守中国法律法规要(yào)求(qiú),欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

  半导体突发(fā)!中(zhōng)国出手:停止采购!

  3月31日(rì),中国网信网发(fā)文称(chēng),为保障关(guān)键信息(xī)基础设施供应链(liàn)安全,防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全(quán)风险,维(wéi)护国家安全,依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华(huá)人民共和国(guó)网络安全法》,网络(luò)安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室按照(zhào)《网络(luò)安全(quán)审查(chá)办法》爬山是什么性暗示,男女常用的7句性暗示语lor: #ff0000; line-height: 24px;'>爬山是什么性暗示,男女常用的7句性暗示语,对美光公司(Micron)在华销售的产品实施网络(luò)安(ān)全审查。

  半导体(tǐ)突发!中(zhōng)国出手:停止(zhǐ)采购!

  美光是(shì)美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头,也是全球存储芯(xīn)片巨头之一(yī),2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前高峰57%降至(zhì)2022年约(yuē)11%。根据市场咨询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计(jì),2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76%,三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球 DRAM (内存)市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为(wèi) 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司(sī)披露过美(měi)光等国际(jì)存(cún)储厂商为公司供应商。

  美光在江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显著下降(jiàng),至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

  公告显示(shì), 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商(shāng),采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第(dì)一(yī)大、第二大和第三大供(gōng)应(yī爬山是什么性暗示,男女常用的7句性暗示语ng)商(shāng)采购金额占(zhàn)比分别是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波龙已经(jīng)在存(cún)储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示,江波龙与(yǔ)三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合约,确保存储晶圆供应的稳定性(xìng),巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势,公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

  有券商此前(qián)就分析,如(rú)果美光在中国区销售受到限制,或(huò)将导致下游客(kè)户(hù)转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

  分析称(chēng),长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存(cún)储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代(dài),2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤,同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60:1的深(shēn)孔,未来可能会更深的孔或者沟槽,催生更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披露,薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75%。自长江存储被加入美(měi)国限(xiàn)制名单,设备国产化进程加(jiā)速,看好拓(tuò)荆科技(薄膜沉积)等(děng)相关公司份(fèn)额提(tí)升(shēng),以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华海清科(kē)(CMP)、盛美上海(hǎi)(清洗)等(děng)收入增长。

 

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