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亢可以加什么偏旁变成什么字,亢这个字可以加什么偏旁 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好(hǎo),来看一则突发消息。

  美(měi)光公司在华销售的产品(pǐn)未通过(guò)网络安全审(shěn)查

  据网(wǎng)信办消息,日前,网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络(luò)安全审查。

  审查发现,美光(guāng)公司产品存在(zài)较严重网络安(ān)全问题隐患,对我(wǒ)国关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链造成重大(dà)安全风险,影响我亢可以加什么偏旁变成什么字,亢这个字可以加什么偏旁(wǒ)国(guó)国家(jiā)安全(quán)。为此(cǐ),网络安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查(chá)的结论。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法律法规,我(wǒ)国(guó)内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停(tíng)止采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

  此次对美光公司(sī)产品进行(xíng)网络安(ān)全审查(chá),目(mù)的(de)是防范产品网络(luò)安全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安全,是维(wéi)护(hù)国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放,只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律法规要求,欢迎各(gè)国企业、各类平(píng)台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市场。

  半导体突发!中国出手(shǒu):停(tíng)止采购!

  3月31日,中国网信网发文称,为保(bǎo)障关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链安全,防范产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网络安全风险,维护国家安(ān)全,依据《中(zhōng)华(huá)人民(mín)共和(hé)国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网络安全法》,网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办法》,对美(měi)光公司(Micron)在华(huá)销售的(de)产(chǎn)品(pǐn)实施网络(luò)安全审查。

  半(bàn)导体突发!中国出(chū)手:停止采购!

  美(měi)光是美国的(de)存(cún)储芯片行业龙头,也(yě)是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头(tóu)之一,2022年收入来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57%降(jiàng)至(zhì)2022年约(yuē)11%。根据市(shì)场咨(zī)询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上(shàng)市公司(sī)中,江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美(měi)光等国(guó)际存(cún)储厂商为公司供应商。

  美光在江波龙采购占比已经显著下(xià)降(jiàng),至少已经不是主要大(dà)供应商。

  公告显示, 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和(hé)第(dì)三大供(gōng)应商(shāng)采购(gòu)金(jīn)额占比分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年报显示(shì),江(jiāng)波龙与三星、美光、西部(bù)数(shù)据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合约,确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性,巩固公(gōng)司(sī)在下(xià)游市场的供应优势(shì),公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

  有券(quàn)商此前(qián)就分析,如(rú)果美光(guāng)在中国区(qū)销售受到限制,或(huò)将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士,国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品(pǐn)

  分析(xī)称(chēng),长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代,2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤(zhòu),同时刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到 60:1的深孔,未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽,催生(shēng)更多设(shè)备(bèi)需求。据东(dōng)京电子披露,薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支(zhī)合计为(wèi)75%。自长江(jiāng)存储被加入美(měi)国限制名单,设备国产化进程(chéng)加(jiā)速,看好拓(tuò)荆科技(薄膜沉积)等相关公司份额(é)提升(shēng),以(yǐ)及存(cún)储业务(wù)占比(bǐ)较高的(de)华海亢可以加什么偏旁变成什么字,亢这个字可以加什么偏旁清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入(rù)增长。

 

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