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　　美光公司在华(huá)销售的(de)产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依(yī)法对美光公司(sī)在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在(zài)较严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链(liàn)造成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家(jiā)安(ān)全(quán)。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作(zuò)出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等法律法规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基(jī)础设施的运营者应(yīng)停止采购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　1ma等于多少a，1ua等于多少a此次对(duì)美(měi)光公(gōng)司产品进行(xíng)网络安(ān)全审查，目的是防(fáng)范产品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基础设(shè)施安全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对(duì)外(wài)开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平台产品服(fú)务进入(rù)中国(guó)市(shì)场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全(quán)，依(yī)据《中华人(rén)民共(gòng)和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人(rén)民共和(hé)国网络安全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对(duì)美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨(zī)询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大(dà)和第三大供应商采购(gòu)金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报(bào)显示(shì)，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合(hé)约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国(guó)内(nèi)国(guó)产(chǎn)存(cún)储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前(qián)就(jiù)分析，如果美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或将导致(zhì)下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器(qì)的(de)生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多(duō)设备需求。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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