大(dà)家好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光(guāng)公司(sī)在华(huá)销售的产品未通过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网络安全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室依法对美光公司(sī)在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了(le)网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存(cún)在较严重网络安全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基(jī)础设施供(gōng)应链造成重大安(ān)全(quán)风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法作出不予通过网络(luò)安全审查的(de)结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法(fǎ轻轨是什么，轻轨是地铁还是高铁)规，我国(guó)内关键信息(xī)基础设(shè)施的运营者应停止采(cǎi)购美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安(ān)全的必(bì)要措施。中国坚定推(tuī)进高水平(píng)对外开放(fàng)，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发(fā)文称，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全风(fēng)险，维护国家安全(quán)，依据《中华人(rén)民(mín)共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全轻轨是什么，轻轨是地铁还是高铁审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披(pī)露过美光等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二(èr)大和第三大供应商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金额(é)占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合(hé)约(yuē)，确(què)保存储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游市场的(de)供应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对(duì)轻轨是什么，轻轨是地铁还是高铁产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从中受(shòu)益。存(cún)储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大(dà)量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备需求。据东京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国(guó)产化进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额(é)提升，以及存储业(yè)务占比(bǐ)较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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