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　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公(gōng)司产品存在较(jiào)严(yán)重网(wǎng)络安全问(wèn)题(tí)隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链造(zào)成(chéng)重(zhòng)大(dà)安(ān)全风(fēng)险，影响我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法作(zuò)出不予通过网络安全(quán)审查(chá)的结(jié)论。按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者(zhě)应停止采购(gòu)美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公司(sī)产品进行网(wǎng)络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)，目(mù)的是防(fáng)范产(chǎn)品网(wǎng)络安全(quán)问题危害(hài)国家关键信息基础设(shè)施安全，是维护国家安全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平(píng)台产(chǎn)品服(fú)瘦的女孩子是不是容易满足，为什么瘦人的紧呢务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络(luò)安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络(luò)安(ān)全(quán)审查办(bàn)法》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂商(shāng)为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购(gòu)占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主要大(dà)供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙(lóng)第一大(dà)存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额(é)占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波瘦的女孩子是不是容易满足，为什么瘦人的紧呢龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了(le)长期合(hé)约，确(què)保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市(shì)场的供(gōng)应优势，公司(sī)也与国内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下游客(kè)户转而(ér)采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入(rù)美国限制名单，设(shè)备国(guó)产化进程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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