大家好(hǎo)，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对(duì)美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在(zài)较(jiào)严重(zhòng)网络(luò)安全(quán)问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基(jī)础设施供应链造成重大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室(shì)依法作出不予通过网络安(ān)全审查的结(jié)论(lùn)。按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律法规，我(wǒ)国(guó)内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产(chǎn)品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水平(pín糯糯是什么意思，糯糯的说一句什么意思g)对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患(huàn)造成网络安全(quán)风险，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中华人民共和(hé)国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年(糯糯是什么意思，糯糯的说一句什么意思nián)收(shōu)入来自中国市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司披露过美(měi)光等国(guó)际(jì)存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下(xià)降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第(dì)一(yī)大、第二(èr)大和(hé)第三大供(gōng)应商采购(gòu)金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光、西部(bù)数据等主要存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长期合(hé)约，确(què)保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也(yě)与国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到(dào)糯糯是什么意思，糯糯的说一句什么意思限制(zhì)，或将导致下游客户转而采(cǎi)购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深(shēn)的(de)孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限制名单(dān)，设(shè)备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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