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　　美光(guāng)公司在华销售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络(luò)安全审查(chá)办公室依(yī)法对美(měi)光公司在华销售产品进行了(le)网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供应链造成(chéng)重大安全(quán)风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家安全(quán)。为(wèi)此(cǐ)，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法作出不(bù)予通过(guò)网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查的结(jié)论。按(àn)照《网络安全法》等(děng)法律法规(guī)，我国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)的(de)运营者应停止采购(gòu)美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的是(shì)防范(fàn)产品网络安(ān)全问题(tí)危害(hài)国(guó)家关键(jiàn)信息基础(chǔ)设安徒生童话的作者叫什么名字，安徒生童话的作者简介施安全，是维护(hù)国家安(ān)全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关(guān)键信息基础设(shè)施供应链安全，防(fáng)范产品问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)造(zào)成网络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安(ān)全，依(yī)据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对(duì)美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中国市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS 安徒生童话的作者叫什么名字，安徒生童话的作者简介Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司(sī)披露过美(měi)光等(děng)国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不(bù)是(shì)主要大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙(安徒生童话的作者叫什么名字，安徒生童话的作者简介lóng)第(dì)一(yī)大(dà)存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二(èr)大和第(dì)三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业(yè)链上(shàng)下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司(sī)也与(yǔ)国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光(guāng)在中国区(qū)销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户(hù)转而(ér)采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从中受益。存储器的生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存(cún)储被加入美(měi)国限制名单(dān)，设(shè)备国产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以及存储业(yè)务占比较(jiào)高(gāo)的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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