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　　美光公(gōng)司在华销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作(zuò)出不(bù)予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规(guī)，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施的运(yùn)营者应(yīng)停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全(quán)审查(chá)，目的是(shì)防范产品(pǐn)网络安全(quán)问题危害国家关键信息基础设施安(ān)全(quán)，是维(wéi)护国(guó)家安(ān)全的(de)必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平台(tái)产品服务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信(xìn)网(wǎng)发(fā)文称，为(wèi)保障关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护(hù)国家安全，依据(jù)《中华人民共和国(guó)国家安全(quán)法》《中华人民共(gòng)和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办公室按照《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国(guó)市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二大和第(dì)三大供(gōng)应(yīng)商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存(cún)储产业链上下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国田井读什么字，畊和耕的区别内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分析，如(rú)果美光在中国区(qū)销售受到限制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品田井读什么字，畊和耕的区别ng>

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游(yóu)设备厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入(rù)美国限制(zhì)名单，设(shè)备国产化(huà)进程(chéng)加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额(é)提升，以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。