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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前(qián)，网(wǎng)络安(ān)全审查办公(gōng)室(shì)依法对美为什么家人的核酸检测都出来了,我的还没有出来，和家人一起做的核酸检测为什么我的没出结果光公司在华(huá)销售产品进行了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供应链造成重大安全(quán)风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公(gōng)室(shì)依法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法(fǎ)律法(fǎ)规(guī)，我国(guó)内(nèi)关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施的运(yùn)营者应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目(mù)的是防范产品网络安全问题危害国家关(guān)键信息基础设(shè)施安全，是维护国家安全的必(bì)要(yào)措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平对(duì)外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文称(chēng)，为保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络(luò)安(ān)全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网络(luò)安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)法》，对(duì)美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披露过(guò)美光等(děng)国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第(dì)二大(dà)和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存(cún)储产业链(liàn)上(shàng)下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数(shù)据等主要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆(yuán)供应的(de)稳(wěn)定(dìng)性(xìng)，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场的供应优势，公(gōng)司也(yě)与国内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就分(fēn)析(xī)，如果美光在中(zhōng)国(guó)区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电子(zi)披露，薄(báo为什么家人的核酸检测都出来了,我的还没有出来，和家人一起做的核酸检测为什么我的没出结果)膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

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