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元电荷e等于多少?

元电荷e等于多少? 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看(kàn)一则突发消息。

  美光公司在华(huá)销售的产品未(wèi)通过网络安全审查

  据网信办消息(xī),日前,网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

  审查发现,美(měi)光(guāng)公司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患,对(duì)我国(guó)关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险,影(yǐng)响我国国家(jiā)安全。为此,网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室依(yī)法(fǎ)作出(chū)不予通过网络安全(quán)审(shěn)查的结论(lùn)。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法元电荷e等于多少?律法(fǎ)规,我国内关键信息基础设施(shī)的(de)运营(yíng)者应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品。

  此次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查,目的(de)是防范产品网络安全问题危害(hài)国家(jiā)关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施(shī)安全,是(shì)维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水平对外开放,只要遵守(shǒu)中国法律法规要求,欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入(rù)中国市场。

  半(bàn)导体突(tū)发!中国出手(shǒu):停止采购!

  3月31日,中国网信网发文称,为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施供应链安全(quán),防(fáng)范产品问题隐患(huàn)造(zào)成网(wǎng)络安全风险,维(wéi)护(hù)国家安全,依据《中华人民共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》,网络(luò)安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》,对美光公司(Micron)在华销售的(de)产品实施网络安全审查。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  美光(guāng)是(shì)美国(guó)的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头,也是全球存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一,2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57%降至2022年约11%。根据(jù)市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三星电(d元电荷e等于多少?iàn)子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内(nèi)存)市场份额约(yuē)为 94.35%。

  A股上(shàng)市公司中,江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

  美光在江波(bō)龙采购(gòu)占比已经(jīng)显著(zhù)下降,至少已经(jīng)不是主要大供应商。

  公告显示, 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供(gōng)应商采购金额(é)占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已(yǐ)经在(zài)存(cún)储产业链上(shàng)下(xià)游建(jiàn)立国内(nèi)外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显示,江波龙(lóng)与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约(yuē),确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng),巩固(gù)公司(sī)在下游(yóu)市场的(de)供应优势,公司也与国内(nèi)国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

  有券商此(cǐ)前就分(fēn)析,如果美光在中国区(qū)销售受到限制,或将导(dǎo)致下(xià)游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士,国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

  分析(xī)称,长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài),2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉积(jī)工艺步(bù)骤,同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60:1的深(shēn)孔,未(wèi)来可能(néng)会更深的(de)孔或者沟(gōu)槽,催生更多(duō)设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子披露,薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75%。自(zì)长江存储被加入美国限制(zhì)名单,设备(bèi)国产(chǎn)化进程加(jiā)速(sù),看好拓荆科技(薄(báo)膜沉积)等(děng)相(xiāng)关公司份额(é)提升,以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高(gāo)的(de)华海(hǎi)清科(CMP)、盛(shèng)美(měi)上海(清洗)等收入增长。

 

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