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　　美光(guāng)公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依法对美光公司在(zài)华(huá)销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　审(shěn)查(chá)发现，美(měi)光公司产品存(cún)在较严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络(luò)安全(quán)审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)的(de)运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次(我国雨带移动规律及其影响，我国雨带移动规律口诀cì)对美光(guāng)公司产品(pǐn)进(jìn)行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的是(shì)防范产品(pǐn)网络安全问题(tí)危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的(de)必要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外(wài)开放(fàng)，只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规(guī)要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服(fú)务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发(fā)文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中(zhōng)华(huá)人(rén)民共和(hé)国(guó)网络安全法》，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也是(shì)全球存(cún)储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据(jù)、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经(jīng)在(zài)存储产业链上下游建(jiàn)立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公司(sī)也与国内国产(chǎn)存(cún)我国雨带移动规律及其影响，我国雨带移动规律口诀储晶圆原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益(yì)。存储(chǔ)器的(de)生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层我国雨带移动规律及其影响，我国雨带移动规律口诀(céng)均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会(huì)更(gèng)深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更多设(shè)备(bèi)需求。据东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)被加入美国限制名单(dān)，设备国产化(huà)进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关(guān)公司份额提升，以及存(cún)储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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