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　　美(měi)光公司在华销售的产品未通(tōng)过(guò)网络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

太监割掉的是哪些部位，古代太监是割掉鸡还是蛋　　审查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严(yán)重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过(guò)网络(luò)安全(quán)审查(chá)的(de)结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者(zhě)应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行(xíng)网络安全审查，目(mù)的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护(hù)国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平(píng)台产品(pǐn)服(fú)务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文(wén)称，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共(gòng)和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安全审(sh太监割掉的是哪些部位，古代太监是割掉鸡还是蛋ěn)查办公室按(àn)照《网络(luò)安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美(měi)国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披(pī)露(lù)过美光(guāng)等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波(bō)龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第(dì)二大和第三大(dà)供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在(zài)下(xià)游市场(chǎng)的(de)供应优(yōu)势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如果美光在(zài)中国区销售受(shòu)到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上(shàng)游(yóu)设太监割掉的是哪些部位，古代太监是割掉鸡还是蛋(shè)备厂或从中受益。存(cún)储器的(de)生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最(zuì)大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需(xū)要(yào)经(jīng)过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长。

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